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張瑞龍天文物理 林協輝量子化學 陳宜斌RT化工(吃飯行) guest 張瑞龍天文物理 林協輝量子化學 陳宜斌RT化工(吃飯行) 2021/03/07 22:05

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葉青峻 guest 葉青峻 2021/03/10 08:41

常見的半導體材料有矽、鍺、砷化鎵等
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晶片測試
晶片處理高度有序化的本質增加了對不同處理步驟之間度量方法的需求。晶片測試度量裝置被用於檢驗晶片仍然完好且沒有被前面的處理步驟損壞。如果If the number of dies—the 積體電路s that will eventually become chips—當一塊晶片測量失敗次數超過一個預先設定的閾值時，晶片將被廢棄而非繼續後續的處理製程。
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晶片測試
晶片處理高度有序化的本質增加了對不同處理步驟之間度量方法的需求。晶片測試度量裝置被用於檢驗晶片仍然完好且沒有被前面的處理步驟損壞。如果If the number of dies—the 積體電路s that will eventually become chips—當一塊晶片測量失敗次數超過一個預先設定的閾值時，晶片將被廢棄而非繼續後續的處理製程。

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步驟列表

晶片處理
濕洗
平版照相術
光刻Litho
離子移植IMP
蝕刻（干法蝕刻、濕法蝕刻、電漿蝕刻）
熱處理
快速熱退火Annel
熔爐退火
熱氧化
化學氣相沉積 (CVD)
物理氣相沉積 (PVD)
分子束磊晶 (MBE)
電化學沉積 (ECD)，見電鍍
化學機械平坦化 (CMP)

IC Assembly and Testing 封裝測試
Wafer Testing 晶片測試
Visual Inspection外觀檢測
Wafer Probing電性測試
FrontEnd 封裝前段
Wafer BackGrinding 晶背研磨
Wafer Mount晶圓附膜
Wafer Sawing晶圓切割
Die attachment上片覆晶
Wire bonding焊線
BackEnd 封裝後段
Molding模壓
Post Mold Cure後固化
De-Junk 去節
Plating 電鍍
Marking 列印
Trimform 成形
Lead Scan 檢腳
Final Test 終測
Electrical Test電性測試
Visual Inspection光學測試
Baking 烘烤
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有害材料標誌

許多有毒材料在製造過程中被使用。這些包括：

有毒元素摻雜物比如砷、硼、銻和磷
有毒化合物比如砷化三氫、磷化氫和矽烷
易反應液體、例如過氧化氫、發煙硝酸、硫酸以及氫氟酸

工人直接暴露在這些有毒物質下是致命的。通常IC製造業高度自動化能幫助降低暴露於這一類物品的風險。
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Device yield

Device yield or die yield is the number of working chips or dies on a wafer, given in percentage since the number of chips on a wafer (Die per wafer, DPW) can vary depending on the chips' size and the wafer's diameter. Yield degradation is a reduction in yield, which historically was mainly caused by dust particles, however since the 1990s, yield degradation is mainly caused by process variation, the process itself and by the tools used in chip manufacturing, although dust still remains a problem in many older fabs. Dust particles have an increasing effect on yield as feature sizes are shrunk with newer processes. Automation and the use of mini environments inside of production equipment, FOUPs and SMIFs have enabled a reduction in defects caused by dust particles. Device yield must be kept high to reduce the selling price of the working chips since working chips have to pay for those chips that failed, and to reduce the cost of wafer processing. Yield can also be affected by the design and operation of the fab.

Tight control over contaminants and the production process are necessary to increase yield. Contaminants may be chemical contaminants or be dust particles. "Killer defects" are those caused by dust particles that cause complete failure of the device (such as a transistor). There are also harmless defects. A particle needs to be 1/5 the size of a feature to cause a killer defect. So if a feature is 100 nm across, a particle only needs to be 20 nm across to cause a killer defect. Electrostatic electricity can also affect yield adversely. Chemical contaminants or impurities include heavy metals such as Iron, Copper, Nickel, Zinc, Chromium, Gold, Mercury and Silver, alkali metals such as Sodium, Potassium and Lithium, and elements such as Aluminum, Magnesium, Calcium, Chlorine, Sulfur, Carbon, and Fluorine. It is important for those elements to not remain in contact with the silicon, as they could reduce yield. Chemical mixtures may be used to remove those elements from the silicon; different mixtures are effective against different elements.

Several models are used to estimate yield. Those are Murphy's model, Poisson's model, the binomial model, Moore's model and Seeds' model. There is no universal model; a model has to be chosen based on actual yield distribution (the location of defective chips) For example, Murphy's model assumes that yield loss occurs more at the edges of the wafer (non-working chips are concentrated on the edges of the wafer), Poisson's model assumes that defective dies are spread relatively evenly across the wafer, and Seeds's model assumes that defective dies are clustered together.[25]

Smaller dies cost less to produce (since more fit on a wafer, and wafers are processed and priced as a whole), and can help achieve higher yields since smaller dies have a lower chance of having a defect. However, smaller dies require smaller features to achieve the same functions of larger dies or surpass them, and smaller features require reduced process variation and increased purity (reduced contamination) to maintain high yields. Metrology tools are used to inspect the wafers during the production process and predict yield, so wafers predicted to have too many defects may be scrapped to save on processing costs.[26]

張瑞龍司機 guest 張瑞龍司機 2022/06/19 14:47

臺灣高等法院刑事判決　　　　　　　　　　　　　九十二年度上訴字第三八三二號
　　上　訴　人
　　即　被　告　乙○○
　　選任辯護人　李文娟律師
　　　　　　　　許進德律師
　　　　　　　　邵瓊慧律師
　　自　訴　人　甲○○
右上訴人因違反著作權法案件，不服臺灣臺北地方法院九十二年度自字第三九九號，
中華民國九十二年九月二十三日第一審判決，提起上訴，本院判決如左：
主 文
原判決撤銷。
乙○○非意圖營利而以重製之方法侵害他人之著作財產權，重製份數超過五份，處有
期徒刑貳月，如易科罰金，以參佰元折算壹日。重製之「殷非凡英文家教班高一化學
月考前整理」參仟柒佰壹拾貳份均沒收。
事 實
一、乙○○係臺北市○○街○段○號五樓「陳建宏化學家教班（登記名稱：誼儒文理
短期補習班）」之實際負責人（登記負責人：趙麗玉），該補習班以向學生收取
費用，而教授高中二、三年級之物理、化學及生物課程為經營項目。詎乙○○為
招攬學生，竟於民國九十二年三月十四日，在「陳建宏化學家教班」之內，將甲
○○（筆名楊明）所創作「楊明化學高三總複習（上）」一書中如附件一所示之
重點整理及題目詳解等著作，影印後重新編排，並打字貼上「殷非凡英文家教班
高一化學月考前整理」、「陳建宏老師編」、「史上成績最優的化學班」、「本
班連續四年蟬連全國化學榜首」、「陳建宏化學家教班」、「臺北市○○街○段
○號五樓（00）00000000、00000000」等文字，製作「殷非凡家教班高一化學考
前整理」講義共四頁（計二張，詳如附件二所示）後，影印三千八百份，而以重
製之方式侵害甲○○之著作財產權；旋於翌日上午十時許，將該等重製完成之「
殷非凡家教班高一化學考前整理」講義，送至台北市○○○路○○號四樓「殷非
凡英文家教班」，放置於教室門口，贈送予不特定之學生使用，而以移轉所有權
之方法散布著作重製物，而侵害甲○○之著作財產權。迄九十二年三月十五日下
午五時許，乙○○接獲詹智昇有關甲○○主張上開講義侵害其著作權之通知後，
旋於同日傍晚取回講義三千七百一十二份。
二、案經甲○○向臺灣臺北地方法院提起自訴。
理 由
一、認定犯罪事實之證據及理由：
（一）附件一所示之重點整理及題目詳解，均係自訴人甲○○所編寫之語文著作，業
據自訴人提出「楊明化學高三總複習（上）」一本附卷可稽，堪信為真；衡以
該等重點整理在於介紹與「水」有關之化學知識，其區分「自然水處理法」及
「水污染和檢驗」二單元，以文字、符號逐一介紹「水的淨化」、「硬水的軟
化」、「水的純化」及「生化需氧量」、「化學需氧量」、「清潔劑在水中造
成的污染」、「廢熱的污染」、「無機化學品的污染」等內容，無論自知識之
整理、編排，或文字之使用觀之，均可知係經過作者相當程度之精神作用，始
可創作之作品，該等題目詳解則利用化學式及文字說明，詳細解說各該題目之
解答由來，其精神作用顯然亦達相當之程度，而足以表現作者之個性及獨特性
，因此上開重點整理及題目詳解，自屬自訴人所創作而應受著作權法保護之語
文著作，並無疑義。
（二）被告乙○○承認係「陳建宏化學家教班」實際負責人，為替該家教班宣傳，影
印製作上開「殷非凡家教班高一化學考前整理」三千八百份後，送往「殷非凡
英文家教班」，贈送予不特定之學生免費取閱；經核對被告乙○○所製作之「
　　　殷非凡家教班高一化學考前整理」，除自行變更部分重點整理之項目符號及題
　　　目詳解之題號之外，其餘全部內容均與「楊明化學高三總複習（上）」一書中
　　　如附件一所示之重點整理及題目詳解之內容相同，甚至字型、字體大小、文字
　 　間隔、行距、選用符號等，均一模一樣，明顯係自「楊明化學高三總複習（上
　）」一書剪貼編排，更改部分項目符號及題號後，製作所得之講義等情，有「
楊明化學高三總複習（上）」一本及「殷非凡家教班高一化學考前整理」一份
附卷可稽；足見被告乙○○辯稱：伊當時並不知道是甲○○老師的、不是故意
　　　引用自訴人資料云云，並不足採；此外，並有證人即「殷非凡英文家教班」班
　　　主任詹智昇於原審之證詞，及被告乙○○出具之聲明書影本一紙在卷足稽；是
　　　「殷非凡家教班高一化學考前整理」講義，係重製自訴人所創作「楊明化學高
　　　三總複習（上）」一書中如附件一所示之重點整理及題目詳解等語文著作之重
　　 製物之事實，應堪認定。
（三）被告乙○○重製「殷非凡家教班高一化學考前整理」講義，進而贈閱不特定學
生之目的，在於替其本身經營之「陳建宏化學家教班」宣傳一節，業據其供述
在卷，核與該講義上印有「陳建宏老師編」、「史上成績最優的化學班」、「
本班連續四年蟬連全國化學榜首」等宣傳文字，及「陳建宏化學家教班」之地
址、電話「臺北市○○街○段○號五樓（00）00000000、00000000 」之情形
相符；參諸自訴人所創作前開著作之性質係供補習班教學營利使用，「殷非凡
家教班高一化學考前整理」講義之全部內容均係重製於自訴人上開著作，且重
製範圍占「楊明化學高三總複習（上）」同一單元內容之比例亦屬非低，顯然
足以對於「楊明化學高三總複習（上）」一書之潛在市場產生影響等情，被告
乙○○之重製行為非屬合理使用，其係以重製之方法侵害自訴人之著作財產權
之事實，自亦堪認定。被告重製前揭講義後，放置於前揭家教班門口，贈送予
不特定之學生無償取用，為非意圖營利之重製行為。
二、論罪：
　　被告乙○○犯罪後，著作權法業於民國九十二年七月八日修正公布，其非意圖營
　利而以重製之方法侵害他人之著作財產權，重製份數超過五份之行為，原由舊法
第九十一條第一項「擅自以重製之方法侵害他人之著作財產權」所規範，新法改
由第九十一條第二項「非意圖營利而以重製之方法侵害他人之著作財產權，重製
份數超過五份」處罰，比較舊法與新法之刑度，以新法較有利於行為人，爰依刑
法第二條第一項前段，適用裁判時之修正後著作權法第九十一條第二項處斷。被
告乙○○非意圖營利而以移轉所有權之方法散布重製物，散布份數超過五份之低
度犯行，為其非意圖營利而以重製之方法侵害他人之著作財產權，重製份數超過
五份之高度犯行所吸收，不另論罪。
三、撤銷原判決之理由：
原審以被告罪證明確，據以論罪科刑，固非無見。惟查：被告上訴後，業於本院
與自訴人達成和解，經自訴人具狀陳明，原審不及審酌，尚有未洽。被告上訴指
摘原判決量刑太重為不當，非無理由，應由本院予以撤銷改判。
四、科刑及沒收：
爰審酌被告乙○○重製自訴人甲○○著作物之份數雖高達三千七百一十二份，然
其於九十二年三月十五日下午五時許接獲證人詹智昇有關自訴人主張上開講義侵
害其著作權之通知後，旋於同日傍晚取回講義三千七百一十二份等情，業據證人
詹智昇於原審證述明確，並有收據影本一張在卷可稽，堪認犯罪所生損害尚非嚴
重，又其犯罪之動機在於利用自訴人之著作製作講義，達其宣傳「陳建宏化學家
教班」之目的，而非銷售自訴人著作之重製物直接牟利，犯罪之動機、目的尚非
惡劣，及犯罪後已與自訴人達成和解，及其犯罪之手段、犯罪後態度等一切情狀
，量處如主文第二項所示之刑，並諭知易科罰金之折算標準。被告乙○○重製之
「殷非凡家教班高一化學考前整理」講義三千七百一十二份，係其犯修正後著作
權法第九十一條第二項之罪，因犯罪所得之所有物，爰依修正後著作權法第九十
八條前段之規定宣告沒收。其餘贈送予不特定學生之「殷非凡家教班高一化學考
前整理」講義八十八份，已非屬其所有之物，爰不另為沒收之諭知。
五、適用之法律：
　　刑事訴訟法第三百六十九條第一項前段、第三百六十四條、第三百四十三條、第
　二百九十九條第一項前段。修正後著作權法第九十一條第二項、第九十八條前段
。刑法第二條第一項前段、第十一條前段、第四十一條第一項前段。罰金罰鍰提
高標準條例第二條。
中　　　華　　　民　　　國　　九十三　　年　　　三　　　月　　二十五　　日
臺灣高等法院刑事第八庭
審判長法 官 陳　祐　治
法 官　王　炳　梁
法 官　陳　晴　教
右正本證明與原本無異。
自訴人如不服本判決，應於收受送達後十日內向本院提出上訴書狀，其未敘述上訴之
理由者並得於提起上訴後十日內向本院補提理由書（均須按他造當事人之人數附繕本
）。
被告不得上訴。
書記官　郭　台　發
中　　　華　　　民　　　國　　九十三　　年　　　三　　　月　　二十六　　日
附錄：本案論罪科刑法條全文
修正後著作權法第九十一條第二項
非意圖營利而以重製之方法侵害他人之著作財產權，重製份數超過伍份，或其侵害總
額按查獲時獲得合法著作重製物市價計算，超過新台幣三萬元者，處三年以下有期徒
刑、拘役，或科或併科新台幣七十五萬元以下罰金。


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歷審裁判：

臺灣臺北地方法院 92 年度 自 字第 399 號判決(92.09.23)
臺灣高等法院 92 年度 上訴 字第 3832 號判決(93.03.25)

相關法條：

著作權法 第 91、98 條（92.07.09）
中華民國刑法 第 2 條（92.06.25）
刑事訴訟法 第 369 條（92.02.06）
罰金罰鍰提高標準條例 第 2 條（82.02.05）